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LFGS 射频发生器
LFGS 发生器是用于半导体生产和一般等离子处理的多功能射频发生器。此类可变频率发生器采用了一种半桥、D 类型放大器理念,拥有一种空冷式紧凑型的设计,可安装在19英寸机架上面。典型的应用包括溅射、等离子蚀刻、化学气象沉积、聚合以及表面处理。
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HILIGHT™ 射频发生器
针对低功率、载行应用,HiLight 系列射频发生器小巧、轻便,拥有空冷式设计,专门设计为需要现场安装在非传统19英寸的机架型。
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CESAR® 射频发生器
强大而多功能的 Cesar® 平台可提供非常稳定的射频功率输送性能,以及一个多样化的模式选择,每种模式都具有一套独特的功能(2、4、13.56、27.12和40.68 MHz;0.3至5 kW;拥有多种用户界面和输入选择),从而使您能够选择一套特别适合您应用的组件——而无需定制发生器所需的漫长交付期。
高质量的组件和较少的零件数量使可靠性和产品生命周期均实现最优化,从而使您的投资和制程生产力得到最大化的利用。一个全面而高度灵敏的操作菜单(可在该组件的多功能前面板上找到,并显示在一个大的液晶显示屏上)带来了无与伦比的便利性——提高了操作人员的效率,并使培训成本最小化。
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Paramount® 射频电源
这款半机架的3kW 的 Paramount® 射频 (RF) 功率输送系统拥有更强的功率和阻抗测量性能,能够在 13.56MHz 固定或可变频率、50欧姆和非50欧姆负载下(电压驻波比 (VSWR) 超过3:1),为您带来出色的输送功率精度和控制性能。能够与最突然变化的等离子阻抗保持实时同步,Paramount 射频功率输送系统能为新一代技术节点带来更快的转换速度、更少的制程步骤以及更短的制程时间。其阻抗测量精度可与网络分析仪的水平相媲美,而可选频率的调谐几乎可以瞬间实现(达到毫秒数量级),其速度较市场上的任何其它产品都快。从而实现真正卓越的精确性、可重复性和对制程的控制。
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Integro™ 射频发生器
经济型 Integro™ 射频发生器在很小的体积内结合了一个 13.56MHz、600W 的射频发生器和一个自动匹配网络。这节约了宝贵的空间并使得整合变得更容易。它支持的功能包括:脉冲模式、CEX 操作以及多种保护功能。
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MKS NOVA系列射频电源
NOVA®系列射频电源以2 MHz的频率提供2,500或5,000瓦的额定输出功率。 NOVA系列射频电源提供先进的RF等离子体产生和控制功能,可在最苛刻的薄膜处理应用中以低成本和高成品率提供。 它们非常适合在集成电路,平板显示器和数据存储设备制造过程中用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD),高密度等离子体CVD(HDPCVD),蚀刻和其他薄膜应用。
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MKS GHW系列射频电源
GHW系列射频电源以13.56 MHz的频率提供1250、2500和5000瓦的最大额定输出功率。 GHW系列电源具有经实践证明的可靠性,出色的稳定性以及无与伦比的可重复性,从而可实现高正常运行时间和高工艺产量。 它们非常适合在集成电路,平板显示器和数据存储设备制造过程中用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD),高密度等离子体CVD(HDPCVD),蚀刻和其他薄膜应用。
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AE HFV8000系列射频电源
灵活的 HFV® 电源主要用作200和300 mm 晶圆制程、平板显示器和 DVD 设备的等离子发生器,为离子化物理气相沉积 (IPVD)、CVD 和蚀刻提供了工艺一致性。这种通用电源的特点有数字合成变频输出和微处理器控制,输出功率电平为3、5和8 kW。此外,其输出频率范围为1.765-2.165 MHz。固件上的频率调谐参数可进行定制,以确保在各种真空室结构和工艺方法下的可重复运行。
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